Транзисторы импортные прочие

.....

.....

.....

.....

.....

IGBT N-Type Chip GT8G103(TE16L1) L* 4,5V Gate Drive, lo-sat.....

.....

.....

.....

.....

.....

TRANSISTOR,BJT,NPN,800V V(BR)CEO,24A I(C).....

.....

У этого товара есть аналог. Metal oxide N-Channel MOSFET, 60V, 50A, 130W.....

.....

.....

.....

.....

У этого товра е сть аналог =HGTG20N60A4.....

.....

У этого товара есть аналог......

G30N60A4D.....

У этого товара есть аналог. 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode =IRG4PC50UD=SKW30N60.....

IGBT, N 600V TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:70A; Voltage, Vce Sat Max:2V; Power Dissipation:290W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through...

IGBT, 1200V, 21A Transistor Type No Punch Through (NPT) DC Collector Current 21A Collector Emitter Voltage Vces 2.7V Power Dissipation Max 167W Collector Emitter Volt...

.....

.....

.....

.....

У этого товара есть аналог. MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB.....

N-Channel UltraFET Power MOSFET 55 V, 75 A, 8 m?.....

.....

.....

.....

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • • • • 60V/55A, RDS(ON)=10.5 m? (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Co.....

.....

.....

.....

.....

.....

У этого товара есть аналог. марк.-G30H603.....

.....

Транзистор: IGBT. 40 А, 1.65 В, 288 Вт, 1.35 кВ, TO-247.....

.....

.....

= IKW30N60H3FKSA1.....

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт.....

.....

.....

У этого товара есть аналог. Marking: K50H603.....